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背刺三星台积电绕过2nm：直奔1.4nm去了

2022-05-22 08:53:25来源：快科技关键词：台积电半导体阅读量：21926

导读：台积电的3nm依然延续的是FinFET(鳍式场效应)晶体管结构，而非三星那套难度更高的GAA晶体管。然而，台积电明显道行更深，知道当前制程节点命名混乱，谁的良率高显然更能占得先机。

　　台积电已经多次明确，3nm将在下半年规模投产。

　　不过，台积电的3nm依然延续的是FinFET(鳍式场效应)晶体管结构，而非三星那套难度更高的GAA晶体管。然而，台积电明显道行更深，知道当前制程节点命名混乱，谁的良率高显然更能占得先机。

　　而接下来，台积电似乎不打算糊弄了，甚至要绕过2nm，直奔1.4mm。

　　BK报道称，台积电3nm研发团队将在6月份全面转投1.4nm节点的开发工作。

　　对手三星在去年的代工会议上曾预期，2025年量产2nm，没想到又一次被台积电“背刺”了。

　　至于同样雄心勃勃的Intel，则打算2024年下半年生产1.8nm工艺产品。一场关乎摩尔定律荣耀的制程“军备竞赛”，再度拉开序幕了。

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