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盖米/Gemu
10月22日讯，联华电子(联电)今日宣布推出55纳米BCD工艺平台，进一步完善其在电源管理领域的特殊制程布局。
该平台能在单一芯片上集成模拟、数字与电力元件，为移动设备、消费电子、汽车及工业应用提供更高电源效率与更小芯片面积。
BCD技术的“前世今生”
BCD，全称Bipolar-CMOS-DMOS，是一项特色工艺技术，它能够在单一芯片上集成三种不同类型的元件：双极晶体管、CMOS逻辑器件和DMOS功率器件。
这种集成能力使芯片设计人员可以将模拟、数字和电源管理功能整合在同一芯片上，如今在电源管理与混合信号集成电路等领域被广泛利用。
据悉联电的BCD技术节点范围从0.5微米到55纳米，满足了跨越消费电子、计算机、通信、工业和汽车等多个市场的需求。
此次推出的55纳米节点代表了联电在BCD技术布局上的重要里程碑，进一步完善了其特殊制程产品组合。
三大制程路线
联电全新的55纳米BCD平台提供了三种不同的制程变体，每种都针对特定应用需求进行了优化。
非外延制程具有独特元件架构，为移动及消费类装置提供了高性价比方案。
外延制程符合最严格的车规AEC-Q100 Grade 0标准，支持高达150V操作电压，提升了在极端环境下车用电子的可靠性。
SOI制程同样符合车规AEC-Q100 Grade 1标准，具备卓越的抗噪声特性、高速运作与超低漏电性能，非常适合高端车用与工业使用。
平台还整合了超厚金属层、嵌入式闪存与RRAM忆阻器等技术，进一步提升了芯片效能与系统整合弹性。
联电技术研发副总经理徐世杰表示，虽然55纳米BCD制程已在市场上量产多年，但联电推出了全新且全面的55纳米BCD解决方案，具备卓越的组件特性。
这一平台将协助客户打造创新电源解决方案，应用范围涵盖智能手机、穿戴式装置、车用、智能家庭与智慧工厂等领域。
联电已构建业界最完整且成熟的BCD技术组合，制程节点横跨0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.11微米乃至55纳米，提供具差异化的解决方案。
通过广泛的电压需求、丰富的IP资源与完善的设计支持，联电希望加速客户产品开发周期，强化在智能电源与混合信号市场的竞争力。
如今成熟制程竞争日益激烈的，联电没有陷入内卷漩涡，而是持续加大在特殊制程领域的投入。
毕竟特殊制程不像先进逻辑制程那样追求极致的晶体管尺寸缩小，而是针对特定应用场景优化器件性能和功能集成。
联电近年来也是一直在强化其在特殊制程方面的布局，以区别于其他晶圆代工厂。
与此同时，联电也在探索新的增长点。市场传言称，联电正考虑重新进入更先进的制程领域，可能通过扩大与英特尔的合作，将制程能力延伸至6纳米。
联电首席财务官刘启东表示，公司正在继续探索更先进的制造技术。
结语
联电在全球半导体产业链中扮演着重要角色，其十二座晶圆厂总月产能超过40万片12吋约当晶圆，且全部符合汽车业的IATF 16949品质认证。
随着物联网、汽车电子和工业控制对高效能电源管理芯片的需求持续增长，联电此次推出的55纳米BCD平台有望在智能手机、穿戴设备、汽车电子等领域有更广泛的应用。
浙公网安备 33010602000006号
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