芯联集成启动四期项目：夯实新能源汽车与工业控制之基

2026-06-12 09:57:08来源：“UNT芯联集成”微信公众号关键词：55nm硅光芯片工业控制阅读量：10990

导读：四期项目的启动，标志着公司在巩固新能源汽车和工业控制两大核心优势市场的基础上，正系统性延伸至AI服务器电源和光互联两大高增长赛道。在一期8英寸硅光芯片大规模扩产和三期基地12英寸90nm硅光技术的基础上，四期会继续建设和扩大55nm硅光芯片产能，深入布局光互联技术。

　　6月11日，芯联集成(688469.SH)正式发布公告，公司拟在绍兴市，与相关方合资建设一条月产能5万片的12英寸数模混合芯片生产线，该项目作为公司的四期项目，计划总投资约200亿元，其中公司出资30.12亿元，持股25.1%。

　　四期项目的启动，标志着公司在巩固新能源汽车和工业控制两大核心优势市场的基础上，正系统性延伸至AI服务器电源和光互联两大高增长赛道，形成"核心主业稳基、新兴赛道拓边"的双轮驱动格局。

　　四期项自：从数模混合出发

　　延伸至AI电源、硅光及锗硅等技术平台

　　四期项目主要聚焦五大工艺平台，具体布局如下：

　　▪️55～28nm车规级MCU及AI端侧DSP芯片平台

　　覆盖智能汽车、工业自动化、AIoT三大应用领域，其中AI 端侧 DSP 布局是公司向 AI应用延伸的重要一步，以为边缘智能提供算力支撑。

　　▪️90nm数模混合芯片平台

　　聚焦国内稀缺的高性能、高功率、高可靠性BCD技术方向，面向新能源汽车、工业控制、高端消费电子三大核心领域。

　　▪️55nmAI服务器高频电源管理芯片平台

　　面向AI服务器电源系统，为CPU/GPU提供高功率密度供电方案。公司正进一步扩产高端电源管理芯片产能，以应对全球AI算力爆发带来的市场需求。

　　▪️55nm硅光芯片平台

　　面向数据中心光互连、AI集群通信、高速光模块三大应用。

　　在一期8英寸硅光芯片大规模扩产和三期基地12英寸90nm硅光技术的基础上，四期会继续建设和扩大55nm硅光芯片产能，深入布局光互联技术。

　　▪️55nmSiGe跨阻放大器和激光驱动芯片平台

　　覆盖高速光模块接收端和发射端的核心电芯片。

　　该平台与55nm硅光平台形成 “硅光+配套电芯片”协同，可为客户提供从光接收到光发射的完整光引擎代工方案。

　　四期项目的启动，意味着公司在巩固主业根基的同时，正深入布局AI服务器电源与光互联两个高增长方向。

　　产能跃升：

　　筑牢国内高端模拟及光互联制造核心地位

　　在一期、二期、三期项目达产的基础上，未来随着四期项目的投产，芯联集成整体晶圆制造产能将超过40万片/月产能(折合8英寸)。在夯实主业的同时，正深度布局和参与全球AI算力基础设施建设。

　　在200亿元投资的支撑下，四期项目的扩产将持续巩固公司在功率、高端模拟芯片、MCU、DSP领域的技术和产能优势，也将加速推动国内硅光芯片制造能力，在AI算力时代的“芯基建”赛道上深度参与。

　　原标题：芯联集成启动四期项目：夯实新能源汽车与工业控制之基，开拓AI服务器电源与光互联市场

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