中国存储器产业呈现崛起之势 三路进击格局渐成

　　【中国智能制造网 智造快讯】如今，三星、东芝、美光、海力士等企业垄断的存储器市场高达800亿美元，而我国每年进口的存储芯片高达600亿美元。尽管目前中国存储芯片产业仍然在很大程度上依赖进口，但同时也可以看到，我国存储器市场具有很大的发展空间。　　为提升我国存储器产业的竞争力，近期行业动态频频，大陆存储器有了崛起之势。近日，合肥发展存储器计划频有突破，合肥长鑫12寸晶圆厂生产线曝光，总投资额约人民币500亿元，在合肥打造月产能12.5万片晶圆厂，年产能约150万片。
　　
　　此外，北京兆易创新为合肥操刀的存储器计划也已初具轮廓。北京兆易创新透过买下武岳峰资本旗下SDRAM设计公司矽成(ISSI)，全面掌握NORFlash、NANDFlash及利基型DRAM技术，为自身的存储器产业打下坚实的技术基础。
　　
　　随着大陆各方人马的涌动，中国台湾地区人才也是前仆后继地加入到大陆团队当中。目前，长江存储及旗下武汉新芯阵营已有不少台系IC设计公司高层加入，包括NORFlash设计公司常忆前总经理王筱瑜、前副总张有志，以及宜扬前总经理周锦颖，至于设计公司钰创亦有前员工加入，多方人马纷汇聚在武汉新芯。
　　
　　另外，华亚科前资深副总刘大维传已加入合肥的存储器计划，近期积极挖角台厂相关人才，并开出3倍薪水条件与长江存储阵营抢人才。由于过去台系DRAM厂处于亏损状况，几乎没有奖金发放，大陆开出3倍薪水对于台系DRAM厂员工可说是相当诱人。
　　
　　而随着行业内大动作的频繁出现，中国发展存储器产业形成了三路进击的趋势，除了由武汉新芯与紫光合体组成的长江存储、联电相助的福建晋华集成，第三势力在兆易创新与前中芯CEO王宁国主导的合肥长鑫合作下也开始蠢蠢欲动。
　　
　　面对目前中国大陆存储器产业的发展态势，韩国厂商开始有了危机感，并有所动作。据悉，南韩两大半导体厂Samsung与SKHynix共同组建了半导体希望基金，资金规模约2000亿韩元。这一举动显示了南韩亟欲凸显且扩大其在记忆体市场的竞争力与影响力。不过，目前该半导体希望基金规模并不大，预期重点不在建置新厂、扩张产能，而是锁定技术研发，特别是DRAM、NANDFlash、行动记忆体、新兴记忆体等产品的研发。
　　
　　业内人士分析指出，大陆记忆体产业奠定在当地需求快速增长的基础，以NANDFlash来说，由于行动装置需求的快速增长及伺服器、资料中心的大量建置，大陆市场NANDFlash消耗量占的比重将于2017年达3成以上，2020年将超过4成。而南韩半导体国家队的成军，主要是反映出的是对大陆记忆体即将崛起的压力。记忆体行业已成为大陆官方投资的重要方向，企图实现从无到有的局面。