意法半导体推出1200V绝缘栅双极晶体管

　　摘要：日前，意法半导体的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代沟栅式场截止型高速技术提升太阳能逆变器、电焊机、不间断电源和功率因数校正(PFC,Power-FactorCorrection)转换器等应用的能效和耐用性。
　　
　　意法半导体的新H系列1200VIGBT将关断损耗和导通损耗降低多达15%。饱和电压(Vce(sat))减低至2.1V(在标准集极电流和100°C下的典型值)，这能确保总体损耗降至zui低，在20kHz开关频率下更地工作。
　　
　　此外，新款1200VIGBT提供集成高速恢复反并联二极管的选项，以助力开发人员优化硬开关电路的性能，使用续流二极管大幅降低开关电路的能源损耗。
　　
　　新款IGBT的耐用性*，当实际电流是标准电流的四倍时无闩锁效应，短路时间极短，仅5µs(在150°C初始结温时)。zui大工作结温扩大到175°C，有助于延长产品的使用寿命，简单化系统散热设计。宽安全工作区(SOA，SafeOperatingArea)提升大功率应用的工作可靠性。
　　
　　优异的防电磁干扰(EMI，electromagneticinterference)是新产品的另一大优点，这归功于新系列产品在开关过程中取得近乎理想的波形，令竞争产品*。Vce(sat)的正温度系数，结合器件之间参数分布紧密，使其在大功率应用中实现更安全的并行工作。
　　
　　意法半导体的H系列IGBT现已量产，采用TO-247封装，有1、2和40A三个型号。